安徽科技学院图书馆书目检索系统

Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

宇航MOSFET器件单粒子辐射加固技术与实践/付晓君 ... [等] 编著

出版发行项:

哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2023.5

ISBN及定价:

978-7-5767-0541-6 精装/CNY98.00

载体形态项:

250页:图 (部分彩图);25cm

并列正题名:

Single event effect hardening technique and practice on aerospace power mosfets

丛编项:

材料与器件辐射效应及加固技术研究著作

个人责任者:

付晓君 编著

个人责任者:

魏佳男 编著

个人责任者:

吴昊 编著

学科主题:

功率MOSFET-辐射防护-研究

中图法分类号:

TN323

一般附注:

国家出版基金资助项目 国家出版基金项目

题名责任附注:

题名页题: 付晓君, 魏佳男, 吴昊, 唐昭焕, 谭开洲编著

书目附注:

有书目和索引

提要文摘附注:

本书系统地介绍了宇航功率MOSFET器件的单粒子效应机理和加固技术。全书共6章, 主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航功率MOSFET器件空间辐射效应及损伤模型、宇航功率MOSFET抗单粒子加固技术和试验评估技术。书中以一款宇航VDMOS器件为实例, 详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节。

使用对象附注:

本书可供从事微电子器件工艺开发和抗辐射加固技术研究的工程人员、教师以及学生阅读参考

豆瓣简介：