MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：1
- 题名/责任者:
- 半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法/李兴冀等编著
- 出版发行项:
- 哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2023
- ISBN及定价:
- 978-7-5767-0544-7 精装/CNY128.00
- 载体形态项:
- 401页:图;24cm
- 并列正题名:
- Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices
- 个人责任者:
- 李兴冀 编著
- 学科主题:
- 半导体材料-研究
- 学科主题:
- 半导体器件-研究
- 中图法分类号:
- TN304
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目
- 一般附注:
- 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作
- 题名责任附注:
- 编著者还有：杨剑群、徐晓东、应涛
- 提要文摘附注:
- 本书共分为4章：第1章为半导体物理基础，介绍缺陷相关理论；第2章介绍半导体材料器件与原始缺陷；第3章在辐射物理基础上，介绍了辐射诱导缺陷形成与演化、缺陷性质等模拟仿真方法及应用；第4章介绍半导体材料与器件缺陷表征与分析的常用方法。
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