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题名/责任者:

半导体工艺可靠性/甘正浩，(美)黄威森，(美)刘俊杰著 杨兵译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-111-76494-6/CNY199.00

载体形态项:

11,488页:图;24cm

并列正题名:

Semiconductor process reliability in practice

丛编项:

半导体与集成电路关键技术丛书

丛编项:

微电子与集成电路先进技术丛书

个人责任者:

甘正浩 著

个人责任者:

(美) 黄威森 (Wong, Waisum) 著

个人责任者:

(美) 刘俊杰 (Liou, Juin J.) 著

个人次要责任者:

杨兵 译

学科主题:

半导体工艺-可靠性

中图法分类号:

TN305

相关题名附注:

封面英文题名：Semiconductor process reliability in practice

提要文摘附注:

本书分为12章，包括基本器件物理学、MOS制造工艺流程、用于器件可靠性表征的测量、热载流子注入、栅极氧化层完整性（GOI）和随时间变化的介质击穿（TDDB)、负偏置温度不稳定性、等离子体诱导的损伤、集成电路的静电放电保护、电迁移、应力迁移和金属间介质击穿。书中除了对工艺可靠性问题进行了理论的描述和分析外，同时还给出了相应测试的实际例子。

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