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题名/责任者:

氧化镓半导体器件/龙世兵, 叶建东, 吕元杰著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2022.09

ISBN及定价:

978-7-5606-6430-9 精装/CNY128.00

载体形态项:

396页, [4] 页图版:图;24cm

并列正题名:

Gallium oxide semiconductor devices

丛编项:

宽禁带半导体前沿丛书

个人责任者:

龙世兵 著

个人责任者:

叶建东 著

个人责任者:

吕元杰 著

学科主题:

氧化镓-半导体器件

中图法分类号:

TN303

一般附注:

国家出版基金项目

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料, 在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章, 第1-4章 (氧化镓材料部分) 介绍了氧化镓半导体材料的基本结构, 单晶生长和薄膜外延方法, 电学特性, 氧化镓材料与金属、其他半导体的接触, 氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容 ; 第5-7章 (氧化镓器件部分) 介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程, 氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向, 氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。

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