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MARC状态:订购 文献类型:中文图书 浏览次数:1

题名/责任者:
图解入门.半导体器件缺陷与失效分析技术精讲/(日)可靠性技术丛书编辑委员会主编 (日)上田修,(日)山本秀和著
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2024
ISBN及定价:
978-7-111-74962-2/CNY99.00
载体形态项:
159页;24cm
丛编项:
集成电路科学与技术丛书
个人次要责任者:
(日) 上田修
个人次要责任者:
(日) 山本秀和
个人次要责任者:
(日) 二川清 编著
个人次要责任者:
李哲洋
团体责任者:
(日) 可靠性技术丛书编辑委员会 主编
学科主题:
半导体工艺-图解
中图法分类号:
TN305-64
一般附注:
机工通信
责任者附注:
上田修,东京大学工学部物理工学博士。现为明治大学客座教授。
责任者附注:
山本秀和,北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。现任千叶工业大学教授,从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。
责任者附注:
李哲洋,男,博士生导师,研究员,现任怀柔实验室北京智慧能源研究院资深技术专家。
责任者附注:
二川清,大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。现任芝浦工业大学兼职讲师。
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书共分为4章,内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏,用以介绍每个领域的某些方面。在第2-4章的末尾各列入了3道例题,这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试,题型为5选1,希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。
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