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题名/责任者:

碳化硅功率模块设计:先进性、鲁棒性和可靠性/(日)阿尔贝托·卡斯特拉齐，(意)安德里亚·伊拉斯等著 曾正[等]译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-111-76654-4/CNY119.00

载体形态项:

247页:图;24cm

并列正题名:

Sic power module design:performance, robustness and reliability

其它题名:

先进性、鲁棒性和可靠性

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

(日) 卡斯特拉齐 (Castellazzi, Alberto) 著

个人责任者:

(意) 伊拉斯 (Irace, Andrea) 著

个人次要责任者:

曾正 译

个人次要责任者:

孙鹏 译

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

题名责任附注:

译者还有：孙鹏、牛富丽、邹铭锐

相关题名附注:

封面英文题名：Sic power module design : performance，robustness and reliability

责任者附注:

阿尔贝托·卡斯特拉齐，(Alberto Castellazzi)，是日本京都先端科学大学的教授，他的研究集中在先进固态功率处理技术，包括宽禁带半导体器件的表征和应用。安德里亚·伊拉斯 (Andrea Irace)，是意大利那不勒斯费德里科二世大学的电子学教授，他的研究集中在宽禁带电力电子器件的建模和仿真。

提要文摘附注:

本书详细介绍了多芯片SiC MOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片SiC MOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导，兼具理论价值和实际应用价值。

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