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题名/责任者:

氮化镓电子器件热管理/(美)马尔科·J. 塔德尔(Marko J. Tadjer)，(美)特拉维斯·J. 安德森(Travis J. Anderson)主编 来萍[等]译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-111-76455-7/CNY168.00

载体形态项:

14,415页:图;24cm

并列正题名:

Thermal management of gallium nitride electronics

丛编项:

先进半导体产业关键技术丛书

个人责任者:

(美) 塔德尔 (Tadjer, Marko J.) 主编

个人责任者:

(美) 安德森 (Anderson, Travis J.) 主编

个人次要责任者:

来萍 译

个人次要责任者:

陈义强 译

学科主题:

氮化镓-电力半导体器件

中图法分类号:

TN303

题名责任附注:

译者还有：陈义强、王宏跃、何小琦、贺致远

出版发行附注:

本版由ELSEVIER LTD.授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门特别行政区以及台湾地区) 出版发行

责任者附注:

马尔科·J. 塔德尔 (Marko J. Tadjer)，博士，就职于华盛顿特区美国海军研究实验室。特拉维斯·J. 安德森 (TravisJ. Anderson)，博士，美国海军研究实验室电力电子部门的负责人，于2008年获得美国佛罗里达大学化学工程博士学位，于2004 年获得乔治亚理工学院化学工程学士学位。

提要文摘附注:

本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法，以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓（GaN）及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaNHEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaNHEMT器件级建模仿真、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术、氮化镓电子器件的微流体冷却技术、氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用。

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