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MARC状态:已编 文献类型:中文图书 浏览次数:10

题名/责任者:
碳化硅半导体材料与器件/(美)鲁缅采夫,(俄)莱温施泰因主编 杨银堂, 贾护军, 段宝兴译
出版发行项:
北京:电子工业出版社,2012
ISBN及定价:
978-7-121-17755-2/CNY59.00
载体形态项:
332页:图;26cm
统一题名:
SiC materials and devices
丛编项:
国外电子与通信教材系列
个人责任者:
莱温施泰因 主编
个人责任者:
鲁缅采夫 主编
个人责任者:
舒尔 (Shur, Michael) 主编
个人责任者:
莱温施泰因 (Levinshtein, Michael) 主编
个人责任者:
鲁缅采夫 (Rumyantsev, Sergey) 主编
个人次要责任者:
贾护军
个人次要责任者:
段宝兴
个人次要责任者:
杨银堂
学科主题:
化合物半导体-半导体材料-教材
学科主题:
化合物半导体-半导体器件-教材
中图法分类号:
TN304.2
版本附注:
据World Scientifie Publishing Co. Pte Ltd.2006年英文版译出
出版发行附注:
由World Scientifie Publishing Co. Pte Ltd.授权电子工业出版社出版
责任者附注:
责任者Shur规范汉译姓: 舒尔 ; 责任者Rumyantsev规范汉译姓: 鲁缅采夫 ; 责任者Levinshtein规范汉译姓: 莱温施泰因
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论,内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC:微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管,以及SiC BJT等。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 校区—馆藏地 书刊状态
TN304.2/2 S2362459   总馆—自然书库(凤阳)     可借
TN304.2/2 S2362460   总馆—自然书库(凤阳)     可借
TN304.2/2 S2362461   总馆—自然书库(凤阳)     可借
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