MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：13
- 题名/责任者:
- 半导体激光器能带结构和光增益的量子理论.上册/郭长志编著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2016
- ISBN及定价:
- 978-7-03-047340-0 精装/CNY178.00
- 载体形态项:
- 479页:图;25cm
- 丛编项:
- 半导体激光器设计理论.Ⅲ
- 个人责任者:
- 郭长志 编著
- 学科主题:
- 半导体激光器-能带结构-量子论
- 学科主题:
- 半导体激光器-激光-增益-量子论
- 学科主题:
- 半导体激光器
- 学科主题:
- 能带结构
- 中图法分类号:
- TN248.4
- 出版发行附注:
- 国家科学技术学术著作出版基金资助出版
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算, 带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计, 应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制, 特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计, 其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 校区—馆藏地 | 书刊状态 |
| TN248.4/3:1 | S3071223 | 总馆—工业技术书库（龙湖） | 可借 |
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