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- 题名/责任者:
- 氧化镓半导体器件/龙世兵, 叶建东, 吕元杰著
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2022.09
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-6430-9 精装/CNY128.00
- 载体形态项:
- 396页, [4] 页图版:图;24cm
- 丛编项:
- 宽禁带半导体前沿丛书
- 个人责任者:
- 龙世兵 著
- 个人责任者:
- 叶建东 著
- 个人责任者:
- 吕元杰 著
- 学科主题:
- 氧化镓-半导体器件
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- 国家出版基金项目
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料, 在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章, 第1-4章 (氧化镓材料部分) 介绍了氧化镓半导体材料的基本结构, 单晶生长和薄膜外延方法, 电学特性, 氧化镓材料与金属、其他半导体的接触, 氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容 ; 第5-7章 (氧化镓器件部分) 介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程, 氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向, 氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。
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索书号 | 条码号 | 年卷期 | 校区—馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
TN303/39 | S3484619 | 总馆—自然书库(凤阳) | 可借 | 自然书库(凤阳) |
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