MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：9
- 题名/责任者:
- 电子器件的电离辐射效应:从存储器到图像传感器/(意) Marta Bagatin, Simone Gerardin主编 毕津顺 ... [等] 译
- 出版发行项:
- 北京:电子工业出版社,2022.09
- ISBN及定价:
- 978-7-121-44206-3/CNY119.00
- 载体形态项:
- 20, 299页:图;26cm
- 并列正题名:
- Ionizing radiation effects in electronics:from memories to imagers
- 其它题名:
- 从存储器到图像传感器
- 丛编项:
- 国防电子信息技术丛书.集成电路辐射效应与加固技术系列
- 个人责任者:
- 巴吉安 (Bagatin, Marta) 主编
- 个人责任者:
- 杰拉尔丁 (Gerardin, Simone) 主编
- 个人次要责任者:
- 毕津顺 译
- 学科主题:
- 电子器件-电离辐射-研究
- 中图法分类号:
- TN6
- 出版发行附注:
- 由 Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司授权出版
- 责任者附注:
- Bagatin责任者规范汉译姓: 巴吉安 Gerardin责任者规范汉译姓: 杰拉尔丁
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应, 深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容: 商用数字集成电路的辐射效应, 包括微处理器、易失性存储器 (SRAM和DRAM) 和快闪存储器, 数字电路、现场可编程门阵列 (FPGA) 和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案 ; 纤维光学和成像器件 (包括CMs图像传感器和电荷耦合器件CCD) 的辐射效应。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 校区—馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN6/78 | S3480863 | 总馆—自然书库（凤阳） | 可借 | 自然书库（凤阳） |
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