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题名/责任者:

纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测/(美) 桑迪普 K. 戈埃尔, (印) 科瑞申恩度·查克拉巴蒂主编 续海涛等译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2016

ISBN及定价:

978-7-111-52184-6/CNY59.90

载体形态项:

xiii, 191页:图;24cm

统一题名:

Testing for small-delay defects in nanoscale CMOS integrated circuits

丛编项:

国际信息个程先进技术译丛

个人责任者:

(美) 戈埃尔 (Goel, Sandeep K.) 主编

个人责任者:

(印) 查克拉巴蒂 (Chakrabarty, Krishnendu) 主编

个人次要责任者:

续海涛 译

学科主题:

纳米材料-MOS集成电路-缺陷检测

学科主题:

纳米材料

学科主题:

MOS集成电路

中图法分类号:

TN432

出版发行附注:

本书中文简体翻译版授权由机械工业出版社独家出版并限在中国大陆地区销售

相关题名附注:

英文题名原文取自封面

书目附注:

有书目 (第184-191页)

提要文摘附注:

本书分为4个部分: 第1部分主要介绍了时序敏感自动测试向量生成 (ATPG); 第2部分关于全速测试, 并且提出了一种超速测试的测试方法用于检测SDD; 第3部分介绍了一种SDD测试的替代方案, 可以在ATPG和基于电路拓扑的解决方案之间进行折衷; 第4部分介绍了SDD的测试标准, 以量化的指标来评估SDD覆盖率。本书内容由简入深, 对SDD测试全面展开, 有助于提高读者的理解和掌握。

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