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- 题名/责任者:
- 功率半导体器件基础:英文版/(美)B. Jayant Baliga著
- 版本说明:
- 影印版
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2012.06
- ISBN及定价:
- 978-7-03-034340-6/CNY150.00
- 载体形态项:
- 17,1065页;24cm
- 个人责任者:
- 巴利伽 著
- 学科主题:
- 功率半导体器件-英文
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- 国外信息科学与技术优秀图书系列 半导体科学与技术
- 版本附注:
- 由施普林格科学商业媒体授权出版
- 提要文摘附注:
- 本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 校区—馆藏地 | 书刊状态 |
| TN303/22 | S2307374 | 总馆—自然书库（凤阳） | 可借 | |
| TN303/22 | S2307375 | 总馆—自然书库（凤阳） | 可借 | |
| TN303/21 | S2336348 | 总馆—自然书库（凤阳） | 可借 | |
| TN303/21 | S2336349 | 总馆—自然书库（凤阳） | 可借 |
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