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MARC状态:订购 文献类型:中文图书 浏览次数:6

题名/责任者:
宽禁带化合物半导体材料与器件/朱丽萍[等]编著
版本说明:
2版
出版发行项:
杭州:浙江大学出版社,2022
ISBN及定价:
978-7-308-22915-9/CNY49.00
载体形态项:
214页:图;26cm
并列正题名:
Wide band gap compound semiconductor materials and devices
个人责任者:
朱丽萍 (女, 1966-) 编著
学科主题:
禁带-化合物半导体-半导体材料-高等学校-教材
学科主题:
禁带-化合物半导体-半导体器件-高等学校-教材
中图法分类号:
TN304.2
一般附注:
高等院校材料专业系列规划教材 材料科学与工程
题名责任附注:
编著还有:何海平、潘新花、叶志镇
提要文摘附注:
本书共10章,主要内容为:绪论;化合物半导体材料基础;化合物半导体中的缺陷;宽带隙半导体发光;化合物半导体器件基本原理,包括pn结、超晶格与量子阱;宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用,主要介绍SiC、GaN、ZnO和Ga2O3的研究现状。
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