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题名/责任者:

抗辐射设计与辐射效应/沈自才，丁义刚著

出版发行项:

北京:中国科学技术出版社,2015.05

ISBN及定价:

978-7-5046-6738-0/CNY102.00

载体形态项:

343页;26cm

个人责任者:

沈自才 著

个人责任者:

丁义刚 著

学科主题:

辐射防护

学科主题:

辐射效应

中图法分类号:

TL7

一般附注:

中国科协三峡科技出版资助计划

提要文摘附注:

抗辐射设计是航天、航空及核技术等工程中非常重要的环节，辐射环境对其敏感材料与器件的效应需要给予重点关注与研究。作者从辐射环境、辐射效应、辐射损伤机制、辐照试验、辐射屏蔽、抗辐射设计方法、辐射加固保证等方面对抗辐射设计所涉及的内容进行阐述，对漆类材料、聚合物材料、光学材料、MOS工艺器件、二极管、双极晶体管、FPGA、CCD等典型材料与器件的辐射损伤机理和辐射效应数据进行梳理与总结。

使用对象附注:

本书可为从事抗辐射设计的工程技术人员提供指导，可为从事应用于辐射环境下的材料和电子元器件研制提供理论支持，亦可作为高校、科研院所的教学参考用书

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