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题名/责任者:

宽禁带功率半导体器件建模与应用/肖龙著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-111-76538-7/CNY39.80

载体形态项:

157页:图;26cm

并列正题名:

Modeling and application wide bandgap semiconductor power devices

个人责任者:

肖龙 著

学科主题:

半导体器件-系统建模

中图法分类号:

TN303

相关题名附注:

封面英文题名：Modeling and application wide bandgap semiconductor power devices

提要文摘附注:

本书详细地阐述了宽禁带功率半导体器件的发展现状、电热行为模型建模方法与模型参数提取优化算法、开通和关断过电压问题分析和抑制方法、串扰导通问题机理与抑制方法。通过LLC变换器展示了如何借助宽禁带器件电热行为模型完成功率变换器硬件优化设计和控制算法的仿真验证，并分析了平面磁集成矩阵变压器的优化设计方法，建立了LLC变换器小信号模型，提出并验证了基于LLC变换器小信号模型的输出电流纹波抑制方法。附录提供了基于AnsysQ3D的电路板寄生参数提取方法、宽禁带器件电热行为模型建模方法、遗传算法和列文伯格-麦夸尔特算法组成的复合优化算法实现、LLC变换器小信号模型建模方法。

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