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MARC状态：已编 文献类型：中文图书 浏览次数：15

题名/责任者:
相变存储器/宋志棠著
出版发行项:
北京:科学出版社,2010
ISBN及定价:
978-7-03-026740-5 精装/CNY49.00
载体形态项:
253页:图;25cm
丛编项:
应用物理学丛书
个人责任者:
宋志棠 著
学科主题:
相变-存储器
中图法分类号:
TP333
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书提出了快速发现新型相变材料的理论与方法，高密度存储单元的优化设计与存储性能表征，高密度存储单元的纳米加工机理，以及降低操作电流的多种途径，PcRAM芯片的设计与制造等。
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索书号 条码号 年卷期 校区—馆藏地 书刊状态
TP333/15 S2185272   总馆—自然书库（凤阳）     可借
TP333/15 S2185273   总馆—自然书库（凤阳）     可借
TP333/15 S2185274   总馆—自然书库（凤阳）     可借
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