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文献类型：中文图书 浏览次数：19
- 题名/责任者:
- 相变存储器/宋志棠著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2010
- ISBN及定价:
- 978-7-03-026740-5 精装/CNY49.00
- 载体形态项:
- 253页:图;25cm
- 丛编项:
- 应用物理学丛书
- 个人责任者:
- 宋志棠 著
- 学科主题:
- 相变-存储器
- 中图法分类号:
- TP333
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书提出了快速发现新型相变材料的理论与方法，高密度存储单元的优化设计与存储性能表征，高密度存储单元的纳米加工机理，以及降低操作电流的多种途径，PcRAM芯片的设计与制造等。
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- 豆瓣简介：
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| 索书号 |
条码号 |
年卷期 |
校区—馆藏地 |
书刊状态 |
还书位置 |
| TP333/15 |
S2185272 |
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总馆—凤阳校区密集书库（新馆）
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可借 |
凤阳校区密集书库（新馆） |
| TP333/15 |
S2185273 |
|
总馆—滁州校区密集书库二区
|
可借 |
滁州校区密集书库二区 |
| TP333/15 |
S2185274 |
|
总馆—滁州校区密集书库二区
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可借 |
滁州校区密集书库二区 |
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