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题名/责任者:

CMOS射频集成电路设计/(美)Thomas H. Lee著 余志平，周润德等译

版本说明:

2版

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-121-47453-8/CNY159.00

载体形态项:

19,595页:图;26cm

并列正题名:

Design of CMOS radio-frequency integrated circuits

个人责任者:

(美) 李 (Lee, Thomas H.) 著

个人次要责任者:

余志平 (1944-) 译

个人次要责任者:

周润德 (1945-) 译

学科主题:

CMOS电路-电路设计

中图法分类号:

TN432

版本附注:

据原书第2版译出

提要文摘附注:

国外电子与通信教材系列

提要文摘附注:

本书首先介绍了无线电发展历史和无线通信原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；说明了现代高频宽带放大器的设计方法，讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器(LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率合成器，书中对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性(包括振荡电路中的相位噪声)进行了探讨，最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。

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