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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:25

题名/责任者:
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)设计与工艺/赵善麒,高勇,王彩琳等编著
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2018
ISBN及定价:
978-7-111-60498-3/CNY98.00
载体形态项:
10,294页:图,照片;24cm
并列正题名:
Design and process of insulated gate bipolar transistor
丛编项:
智能制造与装备制造业转型升级丛书
个人责任者:
赵善麒 编著
个人责任者:
高勇 编著
个人责任者:
王彩琳 编著
学科主题:
绝缘栅场效应晶体管
中图法分类号:
TN386.2
一般附注:
“十三五”国家重点出版物出版规划项目 电力电子新技术系列图书
提要文摘附注:
本书共分10章,包括器件结构和工作原理、器件特性分析、器件设计、器件制造工艺、器件仿真、器件封装、器件测试、器件可靠性和失效分析、器件应用和衍生器件及SiC-IGBT。
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索书号 条码号 年卷期 校区—馆藏地 书刊状态
TN386.2/6 S3274901  - 总馆—工业技术书库(龙湖)     可借
TN386.2/6 S3274902  - 总馆—工业技术书库(龙湖)     可借
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