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题名/责任者:

纳米Cmos电路和物理设计/(美) Ban P. Wong ... [等] 著 辛维平 ... [等] 译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2011

ISBN及定价:

978-7-111-33083-7/CNY98.00

载体形态项:

XIII, 345页:图;24cm

统一题名:

Nano Cmos Circuit and Physical Design

丛编项:

国际信息工程先进技术译丛

个人责任者:

王班 (Wong, Ban P.) 著

个人次要责任者:

李玉山 译

个人次要责任者:

辛维平 译

学科主题:

纳米材料-集成电路-电路设计

中图法分类号:

TN432

题名责任附注:

责任者Wong汉译姓: 王班

相关题名附注:

原文题名取自版权页

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现整合到一起，形成了一套先进的半导体技术，探讨了器件和工艺的新发展，提供了设计考虑，重点关注了技术与设计的相互影响，并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括纳米CMOS工艺缩小问题及其对设计的影响、亚波长光刻、运行问题的物理与理论以及解决方案、可制造性设计和波动性。

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