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MARC状态:已编 文献类型:中文图书 浏览次数:13

题名/责任者:
CMOS电路设计·布局与仿真/(美) R. Jacob Baker, Harry W. Li, David E. Boyce著 陈中建主译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2006.1
ISBN及定价:
7-111-16504-7/CNY79.00
载体形态项:
695页:图;26cm
并列正题名:
CMOS circuit design, layout, and simulation
丛编项:
电子与电气工程丛书
个人责任者:
贝克, R. J. (Baker, R. Jacob)
个人责任者:
李, H. W. (Li, Harry W.)
个人责任者:
博尹斯, D. E. (Boyce, David E.)
个人次要责任者:
陈中建 主译
学科主题:
互补MOS集成电路-电路设计
中图法分类号:
TN432.02
一般附注:
有附录 (第651-695页)
出版发行附注:
本书中文简体字版由约翰-威利父子公司授权机械工业出版社独家出版
书目附注:
有书目和索引
提要文摘附注:
本书全面阐述了CMOS集成电路设计的理论与相关技术,内容涵盖集成电路设计、仿真和物理实现的全过程,书中以现代观点对大量模拟和数字电路模块、BSIM模型、数据转换器的体系结构等内容进行了深入讨论。
使用对象附注:
读者对象:集成电路设计师、版图设计师、集成电路项目管理人员以及相关专业的教授和科研工作者。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 校区—馆藏地 书刊状态
TN432.02/1 S569015   总馆—自然书库(凤阳)     可借
TN432.02/1 S569016   总馆—自然书库(凤阳)     可借
TN432.02/1 S569017   总馆—自然书库(凤阳)     可借
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