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- 题名/责任者:
- 纳米Cmos电路和物理设计/(美) Ban P. Wong ... [等] 著 辛维平 ... [等] 译
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2011
- ISBN及定价:
- 978-7-111-33083-7/CNY98.00
- 载体形态项:
- XIII, 345页:图;24cm
- 丛编项:
- 国际信息工程先进技术译丛
- 个人责任者:
- 王班 (Wong, Ban P.) 著
- 个人次要责任者:
- 李玉山 译
- 个人次要责任者:
- 辛维平 译
- 学科主题:
- 纳米材料-集成电路-电路设计
- 中图法分类号:
- TN432
- 题名责任附注:
- 责任者Wong汉译姓: 王班
- 相关题名附注:
- 原文题名取自版权页
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现整合到一起,形成了一套先进的半导体技术,探讨了器件和工艺的新发展,提供了设计考虑,重点关注了技术与设计的相互影响,并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括纳米CMOS工艺缩小问题及其对设计的影响、亚波长光刻、运行问题的物理与理论以及解决方案、可制造性设计和波动性。
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索书号 | 条码号 | 年卷期 | 校区—馆藏地 | 书刊状态 |
TN432/12 | S2199027 | 总馆—自然书库(凤阳) | 可借 | |
TN432/12 | S2199028 | 总馆—自然书库(凤阳) | 可借 | |
TN432/12 | S2199029 | 总馆—自然书库(凤阳) | 可借 |
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