- 题名/责任者:
- 半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法/李兴冀 ... 等编著
- 出版发行项:
- 哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2023.7
- ISBN及定价:
- 978-7-5767-0544-7 精装/CNY128.00
- 载体形态项:
- 401页:图 (部分彩图);25cm
- 并列正题名:
- Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices
- 丛编项:
- 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作
- 个人责任者:
- 李兴冀 编著
- 个人责任者:
- 杨剑群 编著
- 个人责任者:
- 徐晓东 编著
- 学科主题:
- 半导体材料-研究
- 学科主题:
- 半导体器件-研究
- 中图法分类号:
- TN304
- 一般附注:
- 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目
- 题名责任附注:
- 题名页题: 李兴冀, 杨剑群, 徐晓东, 应涛等编著
- 书目附注:
- 有书目和索引
- 提要文摘附注:
- 本书共分为4章, 系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。
- 使用对象附注:
- 本书可供从事航天技术研究的专业人员和相关应用领域的科技人员参考, 也可作为高等院校航空宇航科学与技术、空间科学、材料物理和集成电路学科的研究生教材
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 校区—馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN304/32 | S4005740 | 总馆—采编室 | 在编 | 采编室 |
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